ジルコニウムボーテZrb2の分子式を持つ化学物質です。プロパティグレークリスタルパウダー。 Zirconium borateには、3つの成分、すなわち、ボーテ酸ジルコニウム、ジボリドジルコニウム、およびトリブロマイドジルコニウムがあります。ジボニウムジルコニウムのみが広い温度範囲で安定しており、高温に耐性があります。室温と高温で高い強度があります。良好な熱衝撃耐性、低耐性、高温下での酸化抵抗。ジルコニウムジボリドは、主に工業生産に使用されています。ジボニウムジボリウムは六角形の結晶、灰色の結晶、または粉末で、相対密度が5.8で、融点が3040度です。高温抵抗、室温での高強度、高温。良好な熱衝撃耐性、低耐性、高温下での酸化抵抗。融点は約3000度です。メタリックな光沢付き。
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形態学的 |
粉 |
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融点 |
3100-3500度c |
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rtecs番号 |
Zh7150000 |
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密度 |
6,1 g\/cm3 |
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ストレージ条件 |
- 20度c |
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溶解度 |
水に溶けます |
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ハザード説明H228、予防策p 210- p 240- p 241- p 280- p 370+ p378A、危険物符号XN、ハザードカテゴリーコード20\/21\/22、安全指示4.1、パッキンググループIII
ボリッドジルコニウムの物理的および化学的特性：ボリッドジルコニウムには、ジボリドZirconium、ジボリド、およびトリブロマイドジルコニウムの3つの成分があります。ジボニウムジルコニウムのみが広い温度範囲で安定しています。ジルコニウムジボリドは、主に工業生産に使用されています。ジボニウムジボリウムは六角形の結晶形態、灰色の結晶または粉末であり、融点は3040度です。高温抵抗、室温での高強度、高温。良好な熱衝撃耐性、低耐性、高温下での酸化抵抗。融点は約3000度です。メタリックな光沢付き。それはメタリックです。抵抗はジルコニウムの抵抗よりもわずかに低いです。加熱後の大きな温度範囲で安定しています。融点は高いですが、低温で焼結することができます。ジルコニウムと炭化ホウ素と窒化ホウ素を混合し、アルゴンガスの流れで2000度に加熱することで調製されます。
ジルコニウムボリッド（ZRB2）は、高融点、高硬度、高強度、良好な電気導電率、酸化抵抗、化学的安定性を特徴とするユニークな物理的および化学的特性を備えたハイテク材料です。
宇宙船のための高温成分の製造：
高速、高高度、高推力、およびより大きな安全性に向けて近代的な航空機の開発により、高温材料にはより高い要件が提案されています。過敏性の長期飛行、クロス大気飛行、ロケット推進システムなどの極端な環境では、ノーズコーン、翼の先行エッジ、エンジンホットエンドなどのさまざまな重要な部品または航空機のコンポーネント（2000度を超える程度）だけでなく、抗酸化、抗酸化、抗排出、抗熱ショック特性も必要とする必要があります。 ZRB2セラミック材料は、重要な超高温材料の1つであるため、これらの高温成分の製造に重要な役割を果たします。
ZRB2は、融点が高いため（約3246度）、融解や変形せずに極端な高温環境で安定した物理的および化学的特性を維持できます。一方、その高強度と剛性により、製造されたコンポーネントが飛行中に発生する巨大な圧力とストレスに耐えることができます。たとえば、ロケットエンジンスラスタでは、ZRB2材料を使用して、重要な高温成分を製造し、高温および高圧作業環境でのエンジンの安定した動作を確保し、ロケットの信頼性とパフォーマンスを向上させることができます。
宇宙船防止システムのコンポーネント
ZRB2は、宇宙船での逆推進のためにコンポーネントを製造するために使用できます。宇宙船の逆推進プロセス中に、コンポーネントは高温と高速気流の影響に耐えることができる必要があります。 Zrb2の高強度と酸化抵抗は、理想的な選択となります。高温耐性や耐摩耗性防止ノズルなどのコンポーネントを製造でき、防止プロセス中に宇宙船の安定性と安全性を確保できます。これらのコンポーネントは、高温環境で長期的な動作を可能にし、摩耗と損傷を減らし、宇宙船の寿命を延ばし、宇宙ミッションのコストを削減できます。
宇宙船の熱保護システム：
宇宙船が大気に入ると、空気で深刻な摩擦が発生し、非常に高い温度が発生し、宇宙船の熱保護システムに深刻な挑戦をもたらします。 ZRB2は、宇宙船用の熱保護コーティングまたはコンポーネントの製造に使用でき、高温熱の移動を効果的にブロックし、宇宙船内の機器と人員の安全性を保護できます。その優れた抗酸化特性は、コーティングが高温で酸化されるのを防ぐことができ、それにより安定した熱保護性能を維持することができます。たとえば、スペースシャトルの翼と鼻の円錐の前縁では、ZRB2熱保護材料が大気への再突入中の高温に耐えることができ、スペースシャトルが地球に安全に戻ることを保証します。
宇宙船の構造成分：
高温成分に加えて、ZRB2を使用して、宇宙船の他の構造成分を製造することもできます。 ZRB2で作られた構造成分は、その高強度と低密度により、強度を確保しながら宇宙船の重量を減らすことができます。これは、宇宙船にとって非常に重要です。これは、重量を減らすことで打ち上げコストを削減し、宇宙船のペイロード容量を改善する可能性があるためです。たとえば、いくつかの小さな衛星または宇宙プローブの構造フレームワークでは、ZRB2材料を使用すると、衛星の全体的な性能と信頼性が向上します。
宇宙船の電子機器パッケージ：
宇宙船の電子機器は、高温、低温、放射、その他の要因の影響など、過酷な空間環境で安定して動作する必要があります。 ZRB2は、化学的安定性だけでなく、良好な電気的および熱伝導性を持ち、電子機器を製造するための包装材料として使用できます。電子コンポーネントを外部の環境干渉と損傷から効果的に保護することができ、電子コンポーネントによって生成された熱をタイムリーに放散して、電子デバイスの通常の動作を確保します。たとえば、一部の高精度の宇宙船センサーと制御システムでは、ZRB2カプセル化材料が信頼できる保護を提供し、機器の精度と安定性を確保できます。
半導体材料におけるボリドジルコニウムの適用
半導体材料添加物：
ZRB2は、パフォーマンスを向上させるために、半導体材料の添加剤として使用できます。いくつかの半導体材料の準備プロセスでは、適切な量のZRB2を追加すると、材料の電気的、熱的、機械的特性が改善できます。たとえば、高出力半導体デバイスの準備では、ZRB2を追加すると、半導体材料の熱伝導率が向上し、デバイスの熱散逸能力が向上し、デバイスの動作の安定性と信頼性が向上します。一方、ZRB2は、半導体材料の結晶構造を改善し、欠陥と不純物を減らし、キャリアの可動性を高め、デバイスの電気性能を向上させることもできます。
透明な電極材料：
ZRB2は、高赤外線透過率を持つ透明電極を製造するために使用できます。赤外線検出器、赤外線発光ダイオードなどの特別な半導体デバイスでは、透明な電極が良好な赤外線透過率を持つように必要で、赤外線が電極を介してデバイスの内側からスムーズに入るか放出できます。 ZRB2透明電極は、導電率が高く、良好な赤外線透過率があり、これらのデバイスの要件を満たすことができます。赤外線の吸収と反射を減らし、デバイスの感度と性能を改善しながら、電気信号を効果的に送信できます。たとえば、赤外線熱イメージング技術では、透明なZRB2電極を使用した赤外線検出器は、より正確に赤外線信号をキャプチャし、熱イメージングの明確さと解像度を改善できます。
コンデンサ電極材料：
ZRB2は、高電静電容量コンデンサ電極の製造にも使用できます。電子デバイスでは、コンデンサは重要なエネルギー貯蔵コンポーネントであり、そのパフォーマンスは電子デバイスの安定性と信頼性に直接影響します。 Zrb2は、コンデンサの電極材料として、高い特定の表面積と良好な導電率を持ち、コンデンサの静電容量値を増加させる可能性があります。同時に、その化学的安定性は、長期使用中のコンデンサの性能の安定性を確保することができ、漏れや故障などの問題を起こしやすくありません。たとえば、一部の高性能電子回路では、ZRB2電極を使用したコンデンサはより安定した電圧と電流を提供し、回路の全体的な性能を向上させることができます。
熱電材料：
Zrb2には、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する特性があり、半導体場の熱電材料として使用できます。宇宙船の特定の部分、産業廃棄物熱回収システムなどの大きな温度差がある一部の環境では、ZRB2熱電材料は温度差を使用して電気を生成し、エネルギー回収と利用を実現できます。その高い熱伝導率と電気導電率は、熱電気変換効率が高いことをもたらし、電子デバイスの安定した電力サポートを提供します。たとえば、宇宙船の特定の高温成分と低温成分の間にZRB2熱電モジュールを設置すると、高温成分によって生成された熱を電気エネルギーに変換し、宇宙船の小さな電子機器に電力を供給し、外部の電源に依存します。
半導体薄膜材料：
ジルコニウムボリド半導体薄膜材料の準備に使用できます。 ZRB2薄膜は、物理的蒸気堆積（PVD）や化学蒸気堆積（CVD）などの技術を使用して、基質に堆積できます。 ZRB2薄膜には、独自の電気的および光学的特性があり、さまざまな半導体デバイスの製造に使用できます。たとえば、フィールド効果トランジスタ（FET）の製造では、ZRB2薄膜をゲート材料として使用して、トランジスタの導電率を調節できます。さらに、Zrb2薄膜を使用して、光電子細胞や太陽電池などの光電子デバイスの製造にも使用して、光電気変換特性を利用して、光エネルギーと電気エネルギーの相互変換を実現します。
半導体デバイスの高温耐性成分
半導体デバイスの操作中、時には高温が生成されることがあり、デバイスの通常の動作を確保するために高温耐性成分が必要です。 ZRB2は、その高い融点と優れた高温安定性により、パッケージングベースやリードフレームなどの半導体デバイス用の高温耐性成分を製造するために使用できます。これらのコンポーネントは、高温環境で安定したサイズと性能を維持でき、半導体デバイスと他のコンポーネント間の信頼できる接続と電気性能を確保します。たとえば、一部の高出力半導体レーザーでは、ZRB2で作られたパッケージベースは、レーザー操作中に生成された高温に耐え、レーザーチップを損傷から保護し、レーザーのサービス寿命と安定性を改善できます。
半導体製造プロセスにおける補助材料：
ZRB2は、半導体製造プロセスの補助材料としても使用できます。たとえば、エッチングや堆積などのプロセスでは、ZRB2はマスク材料または保護層材料として使用できます。その高い硬度と化学的安定性は、プロセスの精度と精度を確保しながら、プロセス中の化学的侵食と物理的損傷から半導体基質を保護できます。さらに、ZRB2を使用して、加熱要素、電極などの半導体製造機器のいくつかの主要なコンポーネントを製造して、機器の性能と信頼性を向上させることもできます。
私たちはのサプライヤーですジルコニウムボリド.
合成ジルコニウムホウ酸粉末は、主にZRO2粉末とカーボンブラックまたはグラファイト粉末の炭素剤還元によって調製されています。反応方程式は次のとおりです。
3zro 2+ b4c +8 c+b2o3＝3zrb 2+9 co↑
上記の反応プロセスは、固体反応のタイプに属し、反応プロセスは材料拡散によって制御されます。この方法の欠点は、ジルコニア粉末とカーボンブラックまたはグラファイト粉末が不均一に混合され、カーボンブラックまたはグラファイト粉末の活性が低いため、ジルコニアの還元が不完全になり、製品の不純物になります。さらに、ジルコニウム結合粉末に残っているカーボンブラックまたはグラファイト粉末の活性は低いため、脱炭素化中は、酸化大気中のCによって生成される一酸化炭素または二酸化炭素を除去するために、より高い温度（600度を超える）が必要です。温度が高いほど、粉末の酸素含有量が高くなり、ジルコニウム結合粉末の質量が減少します。
注：Bloom Tech（2008年以降）、Ariech Chem-Techは私たちの子会社です。
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